Marktbericht zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand 2025: Wachstumstreiber, technologische Innovationen und strategische Ausblicke. Entdecken Sie wichtige Trends, regionale Dynamiken und Wettbewerbsstrategien, die die nächsten fünf Jahre prägen.

• Zusammenfassung & Marktübersicht
• Wichtige Technologietrends in der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand
• Wettbewerbslandschaft und führende Akteure
• Marktwachstumsprognosen (2025–2030): CAGR, Umsatz- und Volumenanalyse
• Regionale Analyse: Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt
• Zukünftige Ausblicke: Neue Anwendungen und Investitionsmöglichkeiten
• Herausforderungen, Risiken und strategische Möglichkeiten
• Quellen & Referenzen

Zusammenfassung & Marktübersicht

Die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand (WBG) bezieht sich auf die Herstellungsprozesse und Technologien, die zur Erstellung von elektronischen Komponenten auf der Basis von Materialien wie Siliziumkarbid (SiC), Gallium-Nitrid (GaN) und anderen Verbindungen mit einem breiteren Bandabstand als traditionelles Silizium verwendet werden. Diese Materialien ermöglichen es Geräten, bei höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen zu arbeiten, was sie für die nächste Generation von Leistungselektronik, Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und fortschrittlicher Kommunikationsinfrastruktur entscheidend macht.

Der globale Markt für die Herstellung von WBG-Halbleiterbauelementen erlebt ein robustes Wachstum, angetrieben durch die beschleunigte Einführung von SiC- und GaN-Geräten in der Automobil-, Industrie- und Verbraucheranwendungen. Laut Yole Group wird der SiC-Gerätemarkt allein bis 2025 voraussichtlich 6 Milliarden US-Dollar überschreiten, mit einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von über 30 %. Auch die Märkte für GaN-Geräte expandieren schnell, insbesondere im Bereich Schnellladung, Rechenzentren und 5G-Basisstationen, wie von OMICS International hervorgehoben.

Führende Akteure der Branche wie Wolfspeed, onsemi, STMicroelectronics und Infineon Technologies investieren erheblich in den Ausbau ihrer WBG-Herstellungskapazitäten. Diese Investitionen umfassen neue 200-mm-SiC-Waferfabriken und fortschrittliche GaN-auf-Silizium-Produktionslinien, um der steigenden Nachfrage von Automobil-OEMs und Integratoren erneuerbarer Energiesysteme gerecht zu werden. So eröffnete Wolfspeed 2023 die größte SiC-Materialien-Anlage der Welt, während STMicroelectronics und onsemi mehrjährige Pläne für neue SiC- und GaN-Fabriken in Europa und den USA angekündigt haben.

• Die Elektrifizierung des Automobilsektors, insbesondere in den EV-Antrieben und der Ladeinfrastruktur, ist der primäre Nachfrage-Treiber, da WBG-Geräte im Vergleich zu siliziumbasierten Alternativen eine höhere Effizienz und Wärmeverwaltung bieten.
• Wechselrichter für erneuerbare Energien, industrielle Motorantriebe und Stromversorgungen für Rechenzentren setzen ebenfalls zunehmend auf WBG-Geräte aufgrund ihrer Leistung und Energieeinsparungsvorteile.
• Lieferkettenengpässe, insbesondere bei hochwertigen SiC- und GaN-Substraten, bleiben eine Herausforderung, was zu vertikaler Integration und langfristigen Lieferverträgen unter führenden Herstellern führt.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der Markt für die Herstellung von WBG-Halbleiterbauelementen im Jahr 2025 durch eine schnelle Kapazitätserweiterung, eine starke Endnachfrage und kontinuierliche Innovationen in Materialien und Verarbeitungstechnologien gekennzeichnet ist. Der Sektor ist bereit für anhaltend zweistelliges Wachstum, da die Elektrifizierung und die Trends zur Energieeffizienz weltweit an Fahrt gewinnen.

Wichtige Technologietrends in der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand

Die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand (WBG) durchläuft eine schnelle technologische Evolution, die durch die Nachfrage nach höherer Effizienz, Leistungsdichte und thermischer Leistung in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und fortschrittlichen industriellen Systemen vorangetrieben wird. Bis 2025 sind mehrere wichtige Technologietrends zu beobachten, die die Landschaft der WBG-Geräteproduktion prägen, insbesondere für Siliziumkarbid (SiC) und Gallium-Nitrid (GaN) Halbleiter.

• Fortschritte bei Substratqualität und -größe: Die Branche erlebt einen Übergang zu größeren Durchmessern von Substraten, wobei 200-mm-SiC-Wafer an Bedeutung gewinnen. Dieser Übergang, angeführt von Unternehmen wie Wolfspeed und onsemi, wird voraussichtlich die Ausbeute verbessern, die Kosten senken und eine höhere Produktionskapazität ermöglichen. Eine verbesserte Substratqualität mit weniger Defekten und Mikropipes ist auch entscheidend für die Zuverlässigkeit und Leistung von Bauelementen.
• Innovationen im epitaxialen Wachstum: Hochwertige epitaxiale Schichten sind entscheidend für die Leistung von WBG-Geräten. Zu den aktuellen Innovationen gehören die Anwendung fortschrittlicher chemischer Dampfabscheidung (CVD)-Techniken und In-situ-Überwachungssysteme, die eine präzise Kontrolle der Schichtdicke und Dotierprofile ermöglichen. American Superconductor Corporation und Coherent Corp. gehören zu den Akteuren, die in diese Prozessverbesserungen investieren.
• Evolution der Gerätearchitektur: Der Umstieg von planar zu Graben- und vertikalen Gerätearchitekturen ermöglicht höhere Spannungswerte und geringeren Einschaltwiderstand. Vertikale GaN-Transistoren, wie sie von Navitas Semiconductor entwickelt wurden, setzen die Grenzen von Leistungsdichte und Effizienz, insbesondere in Automobil- und Rechenzentrum-Anwendungen.
• Wafer-Verkleinerung und fortschrittliche Verpackung: Dünnere Wafer und fortschrittliche Verpackungslösungen, wie Chip-Skalierungsverpackungen und doppelseitige Kühlung, werden angenommen, um das thermische Management zu verbessern und parasitäre Verluste zu reduzieren. Infineon Technologies AG und STMicroelectronics sind führend in der Integration dieser Techniken in ihre WBG-Geräteportfolios.
• Prozessautomatisierung und Ausbeuteoptimierung: Die Integration von KI-gesteuerten Prozesskontrollen und fortschrittlicher Messtechnik verbessert die Ausbeute und senkt die Defektraten in der Herstellung von WBG-Geräten. Applied Materials, Inc. und Lam Research Corporation bieten wichtige Geräte und Softwarelösungen an, um diese Fortschritte zu ermöglichen.

Diese Technologietrends beschleunigen gemeinsam die Kommerzialisierung und Annahme von WBG-Halbleiterbauelementen und positionieren den Sektor für robustes Wachstum und Innovation bis 2025 und darüber hinaus.

Wettbewerbslandschaft und führende Akteure

Die Wettbewerbslandschaft für die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand (WBG) im Jahr 2025 ist gekennzeichnet durch schnelle technologische Fortschritte, strategische Partnerschaften und erhebliche Investitionen sowohl seitens etablierter Industriegrößen als auch neuer Akteure. WBG-Halbleiter, insbesondere Siliziumkarbid (SiC) und Gallium-Nitrid (GaN), werden zunehmend aufgrund ihrer überlegenen Leistung in Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen bevorzugt, was einen intensiven Wettbewerb entlang der Wertschöpfungskette anheizt.

Zu den wichtigsten Marktführern gehören Wolfspeed, onsemi, STMicroelectronics, Infineon Technologies AG und ROHM Semiconductor. Diese Unternehmen haben erheblich in den Ausbau ihrer WBG-Geräteherstellungskapazitäten investiert, wobei Wolfspeeds Mohawk Valley Fab und onsemis neue SiC-Anlage in der Tschechischen Republik das Ausmaß der jüngsten Erweiterungen verdeutlichen. STMicroelectronics hat ebenfalls signifikante Investitionen zur Steigerung der SiC-Wafer- und Geräteproduktion angekündigt, die auf den automobilen und industriellen Sektor ausgerichtet sind.

Die Wettbewerbsdynamik wird weiter durch vertikale Integrationsstrategien geprägt. Beispielsweise haben Infineon Technologies AG und Wolfspeed in die Sicherung ihrer eigenen Substratversorgungsketten investiert, um die Abhängigkeit von Drittanbietern zu reduzieren und die Kontrolle über Qualität und Kosten zu erhöhen. Inzwischen hat sich ROHM Semiconductor auf proprietäre Gerätearchitekturen und Prozessinnovationen konzentriert, um sein Produktangebot zu differenzieren.

Neue Akteure, insbesondere aus Asien, verstärken den Wettbewerb. Unternehmen wie Cree (jetzt Wolfspeed), Showa Denko K.K. und Littelfuse bauen ihre WBG-Geräteherstellungskapazitäten aus und nutzen dabei häufig staatliche Anreize und Joint Ventures, um den Markteintritt zu beschleunigen. Chinesische Firmen, unterstützt durch nationale Initiativen, erhöhen ebenfalls ihren Einfluss und zielen darauf ab, die WBG-Lieferkette zu lokalisieren und die Abhängigkeit von Importen zu verringern.

Strategische Kooperationen und langfristige Lieferverträge sind weit verbreitet, da Automobil-OEMs und industrielle Giganten versuchen, zuverlässigen Zugang zu WBG-Geräten zu sichern. Beispielsweise haben Volkswagen AG und Tesla, Inc. mehrjährige Lieferverträge mit führenden Herstellern von SiC- und GaN-Geräten abgeschlossen, um ihre Elektrifizierungspläne zu unterstützen.

Insgesamt ist die Landschaft der WBG-Halbleiterherstellung im Jahr 2025 durch aggressive Kapazitätserweiterungen, technologische Innovation und eine wachsende Betonung der Widerstandsfähigkeit der Lieferkette geprägt, da Unternehmen um die Führungsposition in diesem schnell wachsenden Sektor kämpfen.

Marktwachstumsprognosen (2025–2030): CAGR, Umsatz- und Volumenanalyse

Der globale Markt für die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand (WBG) steht zwischen 2025 und 2030 vor einem robusten Wachstum, das durch die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und fortschrittlichen industriellen Anwendungen angetrieben wird. Laut Prognosen von MarketsandMarkets wird der WBG-Halbleitermarkt – einschließlich Siliziumkarbid (SiC) und Gallium-Nitrid (GaN) Geräten – voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate (CAGR) von etwa 23 % während dieses Zeitraums erreichen. Dieses Wachstum basiert auf den überlegenen Leistungsmerkmalen von WBG-Materialien, wie höheren Durchbruchspannungen, größerer Wärmeleitfähigkeit und höherer Effizienz bei hohen Frequenzen, die zunehmend entscheidend für die nächste Generation von Leistungselektronik sind.

Die Umsatzprognosen deuten darauf hin, dass die Marktgröße für die Herstellung von WBG-Halbleiterbauelementen bis 2030 5,5 Milliarden US-Dollar übersteigen könnte, nach geschätzten 1,8 Milliarden US-Dollar im Jahr 2025. Dieser Wachstumskurs wird durch aggressive Investitionen in Fertigungseinrichtungen und Prozessinnovationen von führenden Marktakteuren wie Wolfspeed, STMicroelectronics und Infineon Technologies AG unterstützt. Diese Unternehmen erweitern ihre Produktionskapazitäten, um der steigenden Nachfrage nach SiC- und GaN-Geräten, insbesondere in der Automobil- und industriellen Leistungsmodulbranche, gerecht zu werden.

Die Volumenanalyse zeigt einen parallelen Anstieg der Stücklieferungen, wobei die SiC-Gerätevolumina voraussichtlich von 2025 bis 2030 mit einer CAGR von über 25 % wachsen, so die Yole Group. Auch die GaN-Gerätevolumina werden voraussichtlich ansteigen, insbesondere in der Verbraucher-Schnellladung und Stromversorgungsanwendungen von Rechenzentren. Der Übergang von 6-Zoll- zu 8-Zoll-Waferherstellung wird zudem voraussichtlich die Produktion weiter steigern und die Stückkosten senken, wodurch der Zugang zum Markt für eine breitere Palette von Anwendungen erleichtert wird.

• Automobilsektor: Die Elektrifizierung von Fahrzeugen ist der Haupttreiber, wobei WBG-Geräte höhere Effizienz und Leistungsdichte in EV-Wechselrichtern und Onboard-Ladegeräten ermöglichen.
• Erneuerbare Energien: Solaranlagenwechselrichter und Windkraftumrichter setzen zunehmend WBG-Halbleiter für verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit ein.
• Industrielle und Verbraucherelektronik: Die Einführung in Motorantriebe, Stromversorgungen und Schnellladeadapter beschleunigt das Volumenswachstum.

Insgesamt wird der Zeitraum von 2025 bis 2030 transformative Wachstumsraten in der Herstellung von WBG-Halbleiterbauelementen erleben, wobei sowohl Umsatz- als auch Volumenkennzahlen die strategische Bedeutung des Sektors im globalen Übergang zur Elektrifizierung und Energieeffizienz widerspiegeln.

Regionale Analyse: Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt

Die regionale Landschaft für die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand (WBG) im Jahr 2025 wird durch unterschiedliche technologische Reife, Investitionen und Endmarktnachfrage in Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und dem Rest der Welt (RoW) geprägt.

• Nordamerika: Die Vereinigten Staaten bleiben führend bei der WBG-Halbleiterinnovation, unterstützt durch robuste F&E-Ökosysteme und staatliche Initiativen zur Förderung der inländischen Chip-Produktion. Hauptakteure wie Wolfspeed und onsemi erweitern ihre SiC- und GaN-Herstellungskapazitäten, wobei in 2025 neue Einrichtungen in Betrieb genommen werden. Die Region profitiert von starker Nachfrage in den Bereichen Elektrofahrzeuge (EVs), erneuerbare Energien und Verteidigungssektoren. Das US-Regierung’s CHIPS-Gesetz fördert weiterhin die lokale Produktion und verringert die Abhängigkeit von Übersee-Lieferketten.
• Europa: Die europäische WBG-Halbleiterfertigung ist durch strategische Investitionen und öffentlich-private Partnerschaften gekennzeichnet. Unternehmen wie Infineon Technologies und STMicroelectronics erweitern die Produktion von SiC- und GaN-Geräten, insbesondere in Deutschland und Frankreich. Das Chips-Gesetz der Europäischen Union zielt darauf ab, den globalen Marktanteil der Region bis 2030 zu verdoppeln, mit einem Fokus auf Automobil- und Industriewerk. Europa steht jedoch vor Herausforderungen bei der Rohstoffbeschaffung und der Resilienz der Lieferkette.
• Asien-Pazifik: Asien-Pazifik dominiert die Herstellung von WBG-Halbleiterbauelementen und hält den größten Anteil an der globalen Kapazität. Länder wie China, Japan und Südkorea investieren aggressiv in neue Fabriken und F&E. ROHM Semiconductor und Cree (jetzt Wolfspeed) haben ihre Präsenz in der Region ausgebaut, während Chinas Sanan IC die GaN- und SiC-Produktion schnell steigert. Die Führungsposition der Region beruht auf starker Nachfrage aus den Bereichen Unterhaltungselektronik, EVs und industrielle Leistungssysteme sowie staatlich geförderten Initiativen zur Lokalisierung der Halbleiterlieferketten.
• Rest der Welt (RoW): Während RoW-Regionen wie der Nahe Osten, Lateinamerika und Afrika über eine begrenzte WBG-Halbleiterfertigungskapazität verfügen, wächst das Interesse an der Entwicklung lokaler Ökosysteme. Die Investitionen konzentrieren sich hauptsächlich auf Forschungskooperationen und Pilotprojekte, oft in Partnerschaft mit etablierten Spielern aus anderen Regionen. Der Mangel an fortschrittlicher Infrastruktur und qualifiziertem Personal bleibt jedoch ein erhebliches Hindernis für eine großflächige Produktion.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass Asien-Pazifik 2025 in Bezug auf die Produktionskapazität führend ist, Nordamerika und Europa den Fokus auf Innovation und Sicherheit der Lieferketten legen und RoW-Regionen neue Zugangswege zur WBG-Halbleiterwertschöpfungskette erkunden. Regionale Unterschiede in der politischen Unterstützung, Infrastruktur und Marktnachfrage werden weiterhin die Wettbewerbslandschaft der WBG-Herstellung prägen.

Zukünftige Ausblicke: Neue Anwendungen und Investitionsmöglichkeiten

Die zukünftigen Aussichten für die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand (WBG) im Jahr 2025 sind geprägt von beschleunigter Innovation, expandierenden Anwendungsbereichen und robusten Investitionsaktivitäten. WBG-Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Gallium-Nitrid (GaN) sind zunehmend entscheidend für die Ermöglichung der nächsten Generation von Leistungselektronik, Hochfrequenz (RF)-Geräten und Optoelektronik, da sie gegenüber herkömmlichem Silizium eine überlegene Durchbruchspannung, Wärmeleitfähigkeit und Schaltgeschwindigkeiten bieten.

Neue Anwendungen treiben die Nachfrage nach fortschrittlicher WBG-Geräteherstellung an. Im Automobilsektor fördert die schnelle Elektrifizierung von Fahrzeugen die Einführung von SiC-basierten Leistungsmodule für Wechselrichter und Onboard-Ladegeräte, wobei große Automobilhersteller und Zulieferer in spezielle WBG-Produktionslinien investieren. Die erneuerbaren Energiebranche ist ebenfalls ein bedeutendes Wachstumsgebiet, da WBG-Geräte die Effizienz und Zuverlässigkeit von Solarwechselrichtern und Windturbinenumrichtern verbessern. Darüber hinaus führt die Einführung von 5G und der erwarteten 6G-Netzwerke zu einer steigenden Nachfrage nach GaN-basierten RF-Komponenten, die eine höhere Leistungsdichte und Effizienz für Basisstationen und Satellitenkommunikation bieten, so die Yole Group.

Im Fertigungsbereich beobachten wir einen Übergang zu größeren Waferdurchmessern (z. B. 200-mm-SiC-Wafer), fortschrittlichen epitaxialen Wachstumstechniken und der Integration von WBG-Geräten mit herkömmlichen Siliziumprozessen. Diese Fortschritte sollen die Kosten senken und die Ausbeuten von Geräten verbessern, wodurch WBG-Technologien zugänglicher für Massenmarktanwendungen werden. Strategische Partnerschaften und vertikale Integration werden zunehmend üblich, wie die jüngsten Investitionen führender Foundries und Materiallieferanten zeigen, um die Lieferketten zu sichern und die Prozessentwicklung zu beschleunigen Cree, Inc..

Die Investitionsmöglichkeiten im Jahr 2025 sind robust, da Wagniskapital und Unternehmensfinanzierung in Startups fließen, die sich auf neuartige WBG-Gerätearchitekturen konzentrieren, und etablierte Akteure ihre Fertigungskapazitäten erweitern. Regierungen in den USA, Europa und Asien unterstützen ebenfalls WBG-Halbleiter-Ökosysteme durch Zuschüsse und Anreize, da sie deren strategische Bedeutung für den Übergang zur Energiegewinnung und digitale Infrastruktur erkennen Semiconductor Industry Association.

• Die Elektrifizierung des Automobilsektors und erneuerbare Energien sind die Haupttreiber für die Herstellung von WBG-Geräten.
• Technologische Fortschritte in der Wafergröße und Prozessintegration senken die Kosten und verbessern die Skalierbarkeit.
• Signifikante Investitionen und staatliche Unterstützung beschleunigen die Entwicklung von Ökosystemen und Innovationen.

Herausforderungen, Risiken und strategische Möglichkeiten

Die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit breitem Bandabstand (WBG) – hauptsächlich auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Gallium-Nitrid (GaN) – stellt eine komplexe Landschaft von Herausforderungen, Risiken und strategischen Möglichkeiten dar, während der Markt auf 2025 zusteuert. Diese Materialien bieten im Vergleich zu herkömmlichem Silizium überlegene Leistungen und ermöglichen höhere Effizienz, Leistungsdichte und thermische Stabilität in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und fortschrittlichen industriellen Systemen. Der Übergang von der Forschung zur Hochlaufproduktion birgt jedoch technische und wirtschaftliche Hürden.

• Materialqualität und Defektdichte: Die Produktion hochwertiger, defektarmer SiC- und GaN-Substrate bleibt eine bedeutende Herausforderung. Defekte wie Mikropipes, Versetzungen und Stacking-Fehler können die Ausbeute und Zuverlässigkeit von Bauelementen erheblich beeinträchtigen. Trotz Fortschritten in der Kristallzucht und Epitaxie ist es nach wie vor ein anhaltendes Risiko für Hersteller, eine konstante Waferqualität im großen Maßstab zu erreichen (Cree | Wolfspeed).
• Herstellungscomplexität und Kosten: Die Herstellung von WBG-Geräten erfordert spezialisierte Geräte und Prozessabläufe, die sich von herkömmlichen Silizium-CMOS-Linien unterscheiden. Beispielsweise sind das Zerschneiden und Polieren von SiC schwieriger aufgrund der Härte des Materials, während die GaN-auf-Silizium-Integration Probleme mit der Gitteranpassung und thermischer Ausdehnung aufweist. Diese Faktoren tragen zu höheren Investitionsausgaben und Betriebskosten bei, was die Einführung in kostensensitive Märkte einschränken kann (STMicroelectronics).
• Lieferkettenengpässe: Das Angebot an hochwertigen SiC- und GaN-Wafern ist begrenzt, wobei nur eine kleine Anzahl vertikal integrierter Anbieter den Markt dominiert. Diese Konzentration erhöht die Verwundbarkeit gegenüber Lieferunterbrechungen und Preisvolatilität, insbesondere wenn die Nachfrage aus der Automobil- und Energiewirtschaft steigt (Yole Group).
• Geistiges Eigentum und Standardisierung: Der WBG-Sektor ist durch intensive Patentanmeldungen und proprietäre Prozesstechnologien gekennzeichnet. Die Navigation durch die IP-Landschaft stellt ein strategisches Risiko dar, da Verletzungsstreitigkeiten Produktstarts verzögern oder teure Vergleiche zur Folge haben können. Darüber hinaus erschwert das Fehlen standardisierter Gerätearchitekturen und Testprotokolle die Qualifizierung und Interoperabilität (Semiconductor Industry Association).
• Strategische Chancen: Trotz dieser Herausforderungen bietet der Markt erhebliche Möglichkeiten zur Differenzierung. Unternehmen, die in die fortschrittliche Substratherstellung, vertikale Integration und proprietäre Gerätdesigns investieren, können Premiumsegmente erschließen. Strategische Partnerschaften – wie zwischen Geräteherstellern und Automobil-OEMs – beschleunigen die Qualifizierungszyklen und den Markteintritt (Infineon Technologies).

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Herstellung von WBG-Halbleiterbauelementen im Jahr 2025 durch technische, wirtschaftliche und lieferkettenbezogene Risiken eingeschränkt wird, jedoch auch erhebliche Möglichkeiten für Innovation und Wertschöpfung für diejenigen bietet, die in der Lage sind, diese Hürden zu überwinden.

Quellen & Referenzen

• Wolfspeed
• STMicroelectronics
• Infineon Technologies
• American Superconductor Corporation
• Navitas Semiconductor
• ROHM Semiconductor
• Cree
• Littelfuse
• Volkswagen AG
• MarketsandMarkets
• U.S. government
• Chips Act
• Sanan IC
• Semiconductor Industry Association